设为首页 - 加入收藏
您的当前位置:首页 >Electric Imp >CMF50681R00FKR6_Vishay Dale 正文

CMF50681R00FKR6_Vishay Dale

来源:LM317 Electronics Components编辑:Electric Imp时间:2021-06-15 13:45:36

Klicka här för att ladda ned artikeln med alla illustrationer i PDF-format.

Financial details of the Cometa deal were not disclosed. As part of the agreement, AT&T will provide network infrastructure and management, while IBM will oversee wireless site installations and furnish back-office systems.

WLAN continues to evolve as an important piece of Intel's multibillion-dollar communications IC investment. To date, the communications thrust has shown mixed success and is expected to result in an operating loss of about $700 million this year.

CMF50681R00FKR6_Vishay Dale

Since Intel began breaking out results of its two communications IC businesses in 2000, through the third quarter of this year the company has reported an operating loss of $714 million on revenue of more than $14 billion. That doesn't include the billions of dollars Intel has spent acquiring communications-related companies.

Intel will lose as much money as some of their competitors have in revenue this year,” said David Wu, an analyst at Wedbush Morgan Securities in Los Angeles. I think there are things that Intel is working on that really won't show results until 2005. If they can improve their execution, they eventually will succeed, but there is nothing that says Intel is destined to be successful.”

But the creation of Cometa should provide Intel with a ready-made outlet for its WLAN chipsets, expected to begin shipping early next year.

CMF50681R00FKR6_Vishay Dale

They've been using a brute force approach up to this point, and that's slow-going and expensive,” said Bill McClean, an analyst at IC Insights Inc., Scottsdale, Ariz. With the exception of flash memory, they're having a difficult time edging into the communications market.”

Intel's communications effort is divided into two areas: the Communications Group, managed by Sean Maloney, includes WLAN, Gigabit Ethernet, and optical products and network processors; the Wireless Communications & Computing Group (WC&CG), headed by Ron Smith, includes the flash memory business and processors designed for PDAs and cellular phones.

CMF50681R00FKR6_Vishay Dale

WC&CG has increased revenue this year and its operating loss was cut on a sequential basis by about 70% in the third quarter. According to IC Insights, Intel's wireless IC sales will grow 8% in 2002, to $1.2 billion, but more than 80% of that will be flash memory.

The Communications Group has been more severely affected by the industry downturn. Revenue this year is expected to fall nearly $1.5 billion below the 2000 peak of $3.5 billion and contribute to an operating loss of $600 million.

Resistorer kan enkelt integreras i en analog asic. Mycket höga resistansvärden (många Mohm) kan vara mindre lyckat på grund av den stora kiselyta som går åt. Resistorer där det utvecklas stor effekt (hundratals mW) är olämpliga på grund av värmeutvecklingen. Resistorer kan realiseras på olika sätt i en asic. Några alternativ med olika egenskaper diskuteras tillsammans med exemplen på bipolära processer nedan. Gemensamt för samtliga typer är att det absoluta resistansvärdet har sämre tolerans än diskreta resistorer medan matchning mellan resistorer på samma asic är mycket bra. Det är fullt möjligt att uppnå matchning i storleksordningen 0,1 procent.

Kondensatorer med små kapacitansvärden lämpar sig väl för att integreras i en analog asic. Kondensatorer med stora värden (flera hundra pF) konsumerar stor kiselyta och är därför av kostnadsskäl kanske mindre lämpliga för integrering. Att konstruera en asic innebär sällan att man direkt överför en diskret konstruktion till kisel, komponent för komponent. Det är istället lämpligt att anpassa konstruktionen efter vald process, så att man får optimal funktion. Ett bra exempel på detta är användningen av kondensatorer. Eftersom stora kondensatorer är dyra” på kise, är det vanligt att försöka minska behovet av sådana. En lösning där man kan ta bort, eller minska värdet på, en kondensator med insats av en handfull transistorer är ett lyckat byte.

Bipolära processalternativ Applikationens krav bestämmer vilken bipolär process som är optimal. De viktigaste parametrarna är de ovan diskuterade: systemets arbetsspänning och bandbredd. Med arbetsspänning avses då en spänning som systemets signaler ryms inom. I många fall är detta också lika med systemets matningsspänning. Bandbredden kan definieras på vanligt vis som en bandbredd för en förstärkare, men även parametrar som stig och falltider för komparatorer, switchar och liknande ger prestandakrav som kan formuleras som en bandbredd för systemet. Andra parametrar som påverkar processvalet kan vara egenskaper hos passiva komponenter. Några exempel på detta är resistorprestanda som temperaturberoende och linjäritet (spänningsberoende).

Enkla bipolära processer är optimerade för att tillverka NPN-transistorer med goda prestanda. För att hålla antalet tillverkningssteg och antalet fotomasker nere, kompromissar man med prestanda på PNP-transistorer. NPN-transistorerna är vertikala, medan PNP-transistorerna är laterala. Skillnaden kan kanske beskrivas som att N, P och N-diffusionerna, som utgör kollektor, bas och emitter i transistorn, är staplade ovanpå varandra i en vertikal transistor men ligger bredvid varandra i en lateral. Effekten av detta blir bland annat att den laterala PNP-transistorn får avsevärt lägre bandbredd än den vertikala NPN-transistorn. Den intressanta parametern här är fT för transistorn. Strömförstärkningen i en transistor beror av signalfrekvensen och fT är den frekvens då transistorns strömförstärkning har sjunkit till ett. Exempel på fT för en 40 V bipolär process är omkring 400 MHz för vertikala NPN-transistorer men endast omkring 4 MHz för en lateral PNP. Normalt måste en applikations bandbredd vara avsevärt lägre än fT för ingående transistorer. Med ytterligare tillverkningssteg och masker kan man tillverka så kallat komplementära transistorer. Med detta avses att både NPN och PNP är vertikala och har mera lika egenskaper.

I enkla processer isoleras enskilda transistorer från varandra, och från själva kislet som kallas substrat, med backspända halvledarövergångar. Man brukar kalla en sådan process för junction isolated”. Varje halvledarövergång ger upphov till en icke önskad kapacitiv last ofta kallad parasitkapacitans. Parasitens storlek beror bland annat av transistorns dimensioner. Stor transistor ger stor parasit. Stor parasit medför högre kapacitiv last och därmed lägre fT. En snabb transistor skall alltså ha små dimensioner. Nästa steg för att ytterligare öka fT är att isolera transistorerna med en isolator istället för med halvledarövergångar. Första steget i detta är att isolera transistorer från varandra med oxiddiken”, men att fortfarande ha en halvledarövergång mot substrat. Detta kallas vanligen för trench isolated” och ger möjlighet att tillverka komplementära bipolära processer med fT i storleksordningen många GHz för högspända processer och tiotals GHz för lågspända processer. Det är också möjligt att till kostnad av ett ännu mera komplicerat processflöde isolera transistorn med en isolator mot substrat. Detta kallas ofta för silicon on insulator” och används för att nå absolut topprestanda vad gäller fT. Processer med oxidisolatorer minskar också inverkan från parasittransistorer som alltid finns i en junction isolated process.

    1    2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  
热门文章

    0.188s , 10762.9765625 kb

    Copyright © 2016 Powered by CMF50681R00FKR6_Vishay Dale,LM317 Electronics Components  

    sitemap

    Top